Параметр | Диапазоны измерения | Погрешность |
---|---|---|
Пост. напряжение | 400 мВ/4 В/40 В/400 В | ±(0.5% + 4) |
1000 В | ±(1.0% + 6) | |
Перем. напряжение | 400 мВ | ±(1.6% + 8) |
4 В/40 В/400 В/750 В | ±(0.8% + 10) | |
Пост. ток | 400мкА/4000 мкА | ±(1.0% + 10) |
40 мА/400 мА | ±(1.2% + 8) | |
10 А | ±(1.2% + 10) | |
Перем. ток | 400мкА/4000 мкА/40 мА/400 мА | ±(1.5% + 10) |
10 А | ±(2.0% + 15) | |
Сопротивление | 400 Ом | ±(0.8% + 5) |
4 кОм/40 кОм/400 кОм/4 МОм | ±(0.8% + 4) | |
40 МОм | ±(1.2% + 10) | |
Ёмкость | 10 нФ | ±(5.0% + 20) |
100 нФ/1 мкФ/10 мкФ/100 мкФ | ±(3.5% + 8) | |
1 мФ/10 мФ/100 мФ | ±(5.0% + 10) | |
Частота | 100 Гц/1 кГц/10 кГц/100 кГц/1 МГц/30 МГц | ±(0.5% + 10) |
Температура | -20℃~400℃/-4℉~752℉ | ±(1.0% + 5) |
400℃~1000℃/752℉~1832℉ | ±(1.5% + 15) | |
Диодный тест | Индицируется приближенное значение прямого падения напряжения на диоде | |
"Прозвонка" | При сопротивлении цепи менее (70±20) Ом включается звуковой сигнал | |
hFE | Индицируется приближенное значение hFE (0-1000) проверяемого транзистора (любого типа) | |
Коэффициент заполнения | 0.1~99.9% |
Погрешность определяется как ±(% от показания + число значений единицы младшего разряда)